在上篇文章中，我們結合具體案例為大家介紹了原子層沉積技術的概念、原理和特點。
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還有很多朋友提問化學氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）的區(qū)別，我們從反應效率、均勻性以反應溫度三方面來進行說明。
在化學氣相沉積（ CVD） 中，前驅體被同時且連續(xù)地引入反應器中，這些前驅體在熱基材表面相互反應。沉積速度可能比 ALD 更高，但涂層的粘附性較差，不夠致密，而且不均勻。
由于 CVD 缺乏自鈍化作用，因此也不可能形成均勻的高深寬比涂層。CVD 工藝由于在溝槽或孔內前驅體濃度較低，導致厚度比基材表面低得多。CVD 通常還需要較高的襯底溫度。
ALD有更好的臺階擴散性和溝槽涂層均勻性
本篇文章我們將繼續(xù)從效率、溫度和涂層類型quan*方位揭秘原子層沉積技術，歡迎對原子層沉積技術感興趣的朋友們和我們一起交流探討。
Part1 原子層沉積工藝的效率
zhong所周知，原子層沉積（ALD ）工藝的生長過程相當緩慢，大約每 cycle 1 個原子層需要 1s左右。然而，一些變體要快得多，特別是快速優(yōu)化的流動反應器（1-5 nm/秒）和空間 ALD（1-10 nm/秒）。
然而，由于 ALD 工藝固有的自鈍化特性，可以將數(shù)千個基材裝入反應器中，從而使每個零件的涂覆速度極快、均勻且可重復！或者，可以使用卷對卷 ALD，其中當使用許多涂布頭時，卷速可以很高（與空間 ALD 相比）。
但當 ALD 應用于粉末等高比表面積基底時，由于吹掃需要消耗大量時間，因此每個 cycle 的生長時間會更長，甚至長達 1 小時。
Part2 原子層沉積需要的溫度
在 ALD 中，適合沉積的基板溫度范圍為室溫至 800℃，但大多數(shù)沉積發(fā)生在 100-200℃ 左右。當溫度高于 100°C 時，通常用作反應物之一的水蒸氣會從基板和壁上快速蒸發(fā)，因此使用高于 100°C 的溫度，前驅體之間的循環(huán)速度會更快。
在高溫下，某些材料可以實現(xiàn)外延生長。若沉積層與基底晶型匹配，即可形成單晶涂層，這就是所謂的原子層外延！
Part3 原子層沉積工藝支持的涂層類型
技術行業(yè)和學術界對可用于 ALD 的材料進行了廣泛的研究，該列表每年都會不斷更新。以下是我們?yōu)槟x可使用的材料：
1.氧化物：Al2O3、CaO、CuO、Er2O3、Ga2O3、 HfO2、La2O3、MgO、Nb2O5、Sc2O3、SiO2 、Ta2O5、TiO2、VXOY、Y2O3、Yb2O3、ZnO 等
2.氮化物：AlN、GaN、TaNX、TiAlN、TiNX 等
3.碳化物：TaC、TiC 等
4.金屬：Ir、Pd、Pt、Ru 等
5.硫化物：ZnS、SrS 等
6.氟化物：CaF2、LaF3、MgF2、SrF2等
7.生物材料：Ca10(PO4)6(OH)2（羥基磷灰石）等
8.聚合物：PMDA–DAH、PMDA–ODA 等
還可以使用 ALD 進行摻雜和混合不同的結構，形成金屬有機雜化物。
ALD 涂層配方（彩色部分為主體元素可形成的化合物）
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